案例分享:不良现象为样品功能测试不良。
经电性测试发现其中有两个PIN存在Short现象,实验室分别对样品进行了X-ray,开封和SEM观察发现样品内部晶元表面存在多处EOS烧伤痕迹。
图1:X-ray检测没有发现打线断开,短路等异常
图2:将样品开封后发现晶元表面有多处EOS烧伤痕迹,以上图箭头所指放大图为例.
案例分享:不良现象为样品功能测试不良。
经电性测试发现其中有两个PIN存在Short现象,实验室分别对样品进行了X-ray,开封和SEM观察发现样品内部晶元表面存在多处EOS烧伤痕迹。
图1:X-ray检测没有发现打线断开,短路等异常
图2:将样品开封后发现晶元表面有多处EOS烧伤痕迹,以上图箭头所指放大图为例.
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