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新闻动态
无损透视芯片内部缺陷
2026年08月10日

很多电子器件出现功能失效、间歇性故障,根源藏在多层封装粘接界面。传统光学显微镜、X-Ray 检测存在局限,无法识别界面脱粘、微分层;SAM 扫描声学显微镜作为无损检测"金标准",无需破坏样品,精准定位微米级内部隐性缺陷,是电子可靠性验证、失效溯源、来料质检必备检测手段。


 SAM 整体系统原理图

图 1  SAM 扫描声学显微镜系统原理示意图


 一、什么是 SAM 扫描声学显微镜


1.1 基础定义与检测原理

扫描声学显微镜(Scanning Acoustic Microscope,简称 SAM)是基于高频超声波的精密无损分析设备,区别于光学、电子显微镜,依靠声波在不同介质界面的反射、透射特性,穿透塑封、陶瓷、金属封装,无损还原器件表层、多层内部微观结构与缺陷状态。


1.2 两种基础声学检测模式

反射式 SAM(脉冲回波模式):单探头 Transducer 兼具发射、接收功能,采集材料界面反射信号,检测分层、裂纹、空洞。

透射式 SAM(穿透传输模式):上下双探头,探头 1 发射超声、探头 2 接收穿透声波,大面积筛查内部大面积空洞、界面完全脱粘。


 二、SAM 对比 X-Ray 核心优势


X-Ray 检测                

SAM 扫描声学显微镜                


擅长识别金属异物、键合断线、体积型孔洞                


依靠声阻抗差异,检出界面贴合类缺陷                

无法识别界面贴合类缺陷(分层、粘接不良、微脱粘)                

封装界面完整性检测唯一无损手段,适配 QFN、BGA、SiP、功率器件、TO 封装等全品类半导体样品       

         


 

 三、SAM 可检出的六大封装典型缺陷

图 2  SAM 可检出的六大封装典型缺陷示意图


 四、SAM 核心工作流程


 01  超声波发射

SAM 设备高频超声探头(Transducer)发射超声波,声波穿透器件塑封表层,抵达芯片、粘接胶、焊盘、框架等多层结合界面。

 02  信号采集

不同材质声阻抗存在差值,界面会产生反射 / 透射声波信号,设备同步采集回波传播时长、幅值、相位偏移三类核心数据。

 03  算法解析

系统算法解析信号,区分完好界面与缺陷界面,生成平面、剖面、单点波形图像。

 04  综合判定

工程师结合波形与成像综合判定缺陷位置、尺寸、深度、严重程度。


 五、扫描模式详细解析


5.1 A-Scan 单点幅度扫描(基础模式)


 

图 3  A-Scan 单点幅度扫描原理图


成像原理

所有扫描模式底层基础,单点纵深检测。探头固定单一坐标,垂直发射超声脉冲,横轴代表声波传播时间(对应样品深度),纵轴代表回波幅值(对应界面声阻抗差异),输出一维波形曲线。


图像判断逻辑

完好粘接界面:稳定、规律的标准回波峰。

分层 / 空洞缺陷:空气间隙声阻抗差距极大,出现超高幅值、相位反转波形。

材料均匀区域:无明显回波峰值。


优缺点

优势:深度定位精度极高,可精准计算缺陷埋藏深度,是 B/C 扫描参数调试基准。

劣势:仅单点检测,无法展示缺陷平面分布,不适合大面积筛查。


5.2 B-Scan 纵向剖面扫描


 图 4  B-Scan 纵向剖面扫描示意图


成像原理

沿 X/Y 轴直线移动探头,采集路径上全部点位 A-Scan 数据,整合生成器件垂直二维剖面图。横轴 = 扫描水平位置,纵轴 = 样品纵深深度,灰度代表回波强弱。


应用价值

直观展示缺陷纵向延伸形态、裂纹深度、分层厚度,清晰区分塑封层、芯片层、粘接层、焊盘多层结构,多用于失效样品剖面结构分析。


5.3 C-Scan 平面层扫描



图 5  C-Scan 平面层扫描成像效果对比


成像原理

设置固定深度时间门,筛选指定界面回波;探头 X-Y 平面全域栅格扫描,采集每个坐标点幅值、相位,生成单一层平面俯视图。


图像特征

灰度 / 彩色区分界面状态:空洞、分层区域高亮 / 红色色块,完好粘接区域颜色均匀统一;可直接测量缺陷面积、尺寸、平面分布范围。


优缺点

优势:成像直观、检测效率高,批量筛查封装分层、空洞首选。

劣势:单张图像仅对应单一深度,需搭配 B-Scan 确认缺陷埋藏深度。


5.4 T-Scan 透射扫描



 图 6  T-Scan 透射扫描原理与成像


上下双探头透射式检测,声波完整穿透样品,缺陷区域声波大幅衰减,图像呈现大面积黑色暗区,适合快速筛查大面积完全分层、大尺寸空洞,适配 TO、TSOP 等扁平封装器件初筛。


 六、真实失效分析案例:SAM + 切片交叉验证



案例背景                

IC 件批量出现电性失效,外观无破损,X-Ray 未检出异常,                

采用 SAM T-scan 扫描确认 NG 样品无法穿透,内部存在分层情况。                

                 


 

图 7  T-Scan 扫描结果:NG 样品无法穿透,确认内部分层


验证结论

C-scan 定位及切片验证,锁定 EMC 与 lead frame 有分层。



图 8  C-Scan 定位与切片验证结果对照


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